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“一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置和方法”等4项科技成果转移转化协议定价公示
上传时间:2018年06月08日      浏览次数:

(公示号:BUAA2018CGZH0021

我校拟实施“一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置和方法”等4项成果的专利权转让(具体成果情况见附表),拟交易价格为¥1000000元(大写:人民币壹佰万元整),价格形成过程为成果完成人与受让方综合参考前期成本投入与未来收益预期,与受让方协商形成,特此公示。

公示期:20180608日—20180622日。

公示期间对拟交易价格有异议的,可采取来访、电话、电子邮件等形式反映。具体方式如下:

受理地址:北航师生综合服务大厅12号窗口

受理电话:(01082338900

电子邮箱:ttc@buaa.edu.cn

 

北京航空航天大学      

20180607     

 

附表:成果情况(共4项)

成果1

成果名称

一种制备纳米多层硬质涂层的装置和方法(专利号:ZL 201510166576.X    

成果完成人

彭徽;杨国园;郭洪波;宫声凯;徐惠彬

成果简介

本发明公开了一种制备纳米多层硬质涂层的装置和方法,通过至少两个蒸发坩埚,两个坩埚中分别放置不同的蒸发靶材,通过程序控制电子枪发射电子束在两个坩埚间跳跃实现不同涂层材料的周期性蒸发,形成金属蒸气;金属蒸气与空心阴极电子枪发射出的低压大电流电子束中的电子相互碰撞发生电离,产生高密度等离子体,与导入的反应气体发生反应并在基板负偏压的作用下形成涂层。所述的纳米多层硬质涂层为MeX/MeX交替结构。本发明具有沉积速度快、涂层致密无液滴、可灵活控制调制周期和层厚比等优点。由于纳米多层硬质涂层本身的致硬效应,所制得的涂层具有很高的硬度和耐磨性,可用于刀具、模具、压气机叶片及叶轮等需要高质量硬质防护涂层的场合。

成果2

成果名称

一种实现电子束选区熔化增材制造金属零部件原位热处理的方法(专利号:ZL 201510875464.1

成果完成人

彭徽;郭洪波;汤一彪;宫声凯;徐惠彬

成果简介

本发明公开了一种实现电子束选区熔化增材制造金属零部件原位热处理的方法,涉及增材制造及热处理技术领域。本发明在所述的成型区域熔化步骤之后增加了二次加热重熔的步骤,对成型区域进行熔化。所述的二次加热重熔参数包括电子束流扫描速度、电子束电流、扫描偏移量及焦斑尺寸。本发明可在零部件加工成型过程中件实施原位热处理,从而消除零件中部分微观孔洞,同时可提高零件表面光洁度,实现微观组织结构控制并在一定范围内实现对成型件力学性能的调控。

成果3

成果名称

一种实现离子镀沉积MCrA1X防护涂层的方法和装置(专利号:ZL 201410195488.8    

成果完成人

彭徽;郭洪波;宫声凯;徐惠彬

成果简介

本发明公开了一种在真空环境下实现等离子体激活电子束物理气相沉积MCrA1X防护涂层的方法及实现上述方法的装置。所述方法在真空腔体中设置至少两个带有MCrA1X靶材的坩埚,并在靶材上方放置适量的金属Nb,电子枪轰击所述两个坩埚,实现金属Nb的熔化和MCrA1X靶材蒸发。在交流电弧源作用下,由金属Nb形成的高温熔池发射出大量热电子和MCrA1X蒸气共同作用引发热阴极弧放电,形成高密度的MCrA1X等离子体蒸气,在此过程中两个坩埚交替作为阳极和阴极。等离子体蒸汽在基板偏压作用下沉积形成MCrA1X涂层,涂层过程中基板可通过辐射预热。

成果4

成果名称

一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置和方法(专利号:ZL 201510655205.8

成果完成人

彭徽;郭洪波;宫声凯;徐惠彬

成果简介

本发明公开了一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置和方法,属于直型电子枪技术领域。所述的离子阱装置包括设置在水冷阳极座凹槽内的离子阱导电条以及保证二者绝缘的离子阱绝缘层。当蒸发材料蒸气在真空室压差作用下从主真空室进入到电子枪室并向阴极部件运动时,与电子束流碰撞并发生部分电离,离化蒸气将被离子阱吸附,避免进入电子枪内部,从而降低灯丝和栅极污染,延长灯丝使用寿命,提高加工过程的稳定性。

其它

徐惠彬,现任北京航空航天大学校长、党委副书记。

徐惠彬分别在“一种实现离子镀沉积MCrA1X防护涂层的方法和装置”的成果研发过程中,对MCrA1X涂层制备的工艺提供了技术指导;在“一种实现电子束选区熔化增材制造金属零部件原位热处理的方法”的成果研发过程中,对此方法的设计提供了技术指导;在“一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置和方法”的成果研发过程中,对此离子阱的设计提供了技术指导;在“一种制备纳米多层硬质涂层的装置和方法”的成果研发过程中,对此纳米多层硬质涂层的设计提供了技术指导。

徐惠彬放弃获取上述四项专利转让所产生的收益。

 

郭洪波,现任材料科学与工程学院副院长。

郭洪波分别在“一种实现离子镀沉积MCrA1X防护涂层的方法和装置”的成果研发过程中,对MCrA1X涂层制备的装置提供了技术指导;在“一种实现电子束选区熔化增材制造金属零部件原位热处理的方法”的成果研发过程中,对此方法的工艺设计提供了技术指导;在“一种降低直型电子枪阴极污染的离子阱装置和方法”的成果研发过程中,对此离子阱装置的结构设计提供了技术指导;在“一种制备纳米多层硬质涂层的装置和方法”的成果研发过程中,对此纳米多层硬质涂层的制备工艺提供了技术指导。

郭洪波放弃获取上述四项专利转让所产生的收益。

(相关公示的具体材料可在北京航空航天大学办公楼401室查) 

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